| BFG65 / BFG 65 HF-Transistoren | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3 Stück Transistoren BFG 65 Hochverstärkender Mikrowellen-Transistor bis 8 GHz für HF-Anwendungen NPN 8 GHz wideband transistor NPN transistor in a four-lead dual emitter plastic envelope (SOT103). It is designed for wideband application in the GHz range, such as satellite TV systems and repeater amplifiers in fibre-optical systems. The device features a very high transition frequency, high gain and a very low noise figure up to 2 GHz. Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1273 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MGF1302 / MGF 1302 GaAs-FET-Transistor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 Stück Transistor MGF 1302 GaAs-Fet Transistor bis 4 GHz für HF-Anwendungen äußerst niedriges Rauschen im Frequenzbereich 100-2000 MHz ID max. 100 mA Ptot 300 mW F 1.4 dB / 4 GHz MGF1302 Low Noise GaAs FET DESCRIPTION The MGF1302 is a low-noise GaAs-Fet with N-Channel Schottky gate, which is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES Low noise figure NFmin = 1.4 dB (max.) f = 4 GHz High associated gain Gs = 11 dB (min.) f = 4 GHz High reliability and stability APPLICATION S to X band amplifiers and oscillators RECOMMENDED BIAS CONDITIONS VDS = 3 V ID = 10 mA Refer to Bias Procedure Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail ! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1302 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFQ65 / BFQ 65 HF-Transistoren | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3 Stück Transistoren BFQ 65 Hochverstärkende Mikrowellen-Transistoren fT = 7.5 GHz Silicon NPN Planar RF Transistor Applications RF-amplifier up to GHz range specially for wide band antenna amplifier. Features High power gain Low noise figures High transition frequence Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail ! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1299 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CF300 / CF-300 HF-Transistoren | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3 Stück Transistoren CF 300 GaAs-MESFET Transistor bis 2,3 GHz für HF-Anwendungen sehr niedriges Rauschen, F = 1.0 dB / 800 MHz, sehr gute Intermodulations-Eigenschaften, Einsatzbereich bis 2.3GHz, N-Channel-GaAs-MESFET-Tetrode Depletion Mode Applications Gain controoled amplifiers and mixers up to 2 GHz in common source configuration. In wireless telephone, broadcast sets, cabel TV and equipments with low power supply. Features Low noise figure High gain Low input capacitance High AGC-range Large input signal behaviour Near constant characteristics in frequency range F = 0.1...2 GHz Very low cross modulation Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail ! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1285 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFR90A / BFR 90A HF-Transistoren | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3 Stück Transistoren BFR 90A Universal-Mikrowellen-Transistor bis 5 GHz für HF-Anwendungen ICmax 25 mA Silicon NPN Planar RF Transistor Applications RF-amplifier up to GHz range specially for wide band antenna amplifier. Features High power gain Low noise figure High transition frequency Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail ! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1290 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFR91A / BFR 91A HF-Transistoren | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3 Stück Transistoren BFR 91A Universal-Mikrowellen-Transistor bis 6 GHz für HF-Anwendungen IC max 35 mA Silicon NPN Planar RF Transistor Applications RF amplifier up to GHz range specially for wide band antenna amplifier. Features High power gain Low noise figure High transition frequency Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail ! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1291 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MGF1902 / MGF 1902 GaAs-FET-Transistor SMD | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 Stück SMD Transistor MGF 1902 SMD Version = MGF 1302 GaAs-Fet Transistor bis 4 GHz für HF-Anwendungen, äußerst niedriges Rauschen im Frequenzbereich 100-2000 MHz, ID max. 100 mA, Ptot 300 mW, F 1.4 dB / 4 GHz, MGF1902 Low Noise GaAs FET DESCRIPTION The MGF1902 is a low-noise GaAs-Fet with N-Channel Schottky gate, which is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES Low noise figure NFmin = 1.4 dB (max.) f = 4 GHz High associated gain Gs = 11 dB (min.) f = 4 GHz High reliability and stability APPLICATION S to X band amplifiers and oscillators RECOMMENDED BIAS CONDITIONS VDS = 3 V ID = 10 mA Refer to Bias Procedure | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1306 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFG91A / BFG 91A HF-Transistoren | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3 Stück Transistoren BFG 91A Universal-Mikrowellen-Transistor bis 6 GHz für HF-Anwendungen NPN 6 GHz wideband transistor NPN transistor in a four-lead dual emitter plastic envelope (SOT103) It is designed for application in wideband amplifiers, such as MATV and CATV systems Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1275 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFQ34T/ BFQ 34T HF-Transistoren | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3 Stück Transistoren BFQ 34T Leistungstransistoren für HF-Anwendungen Pout max. 1.3 W fT = 4 GHz ICmax. 0.15 A NPN 4 GHz wideband transistor NPN transistor in a plastic SOT37 envelope, intended for wideband amplification applications. The device features high output voltage capabilities. Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail ! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1298 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U310 / U 310 HF-Transistoren | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3 Stück Transistoren U 310 Rauscharmer Sperrschicht-FET im Metall-Gehäuse für HF-Anwendungen Product Summary Part Number: U310 VGS(off) (V): –2.5 to –6 V(BR)GSS Min (V): –25 gfs Min (mS): 10 IDSS Min (mA): 24 Features Excellent High Frequency Gain: Gps 11.5 dB @ 450 MHz Very Low Noise: 2.7 dB @ 450 MHz Very Low Distortion High ac/dc Switch Off-Isolation Benefits Wideband High Gain Very High System Sensitivity High Quality of Amplification High-Speed Switching Capability High Low-Level Signal Amplification Applications High-Frequency Amplifier/Mixer Oscillator Sample-and-Hold Very Low Capacitance Switches Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail ! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1270 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MGF1303 / MGF 1303 GaAs-FET-Transistor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 Stück Transistor MGF 1303 GaAs-Fet Transistor, geeignet für Anwendungen bis 12 GHz Metall-Keramik-Gehäuse, 0.5 um Gate-Länge, ID max. 80 mA, Ptot 200 mW, F 1.4 dB / 4 GHz; 2.0 dB / 12 GHz MGF1303 Low Noise GaAs FET DESCRIPTION The MGF1303 is a low-noise GaAs-Fet with N-Channel Schottky gate, which is designed for use in S to Ku band amplifiers. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES Low noise figure NFmin = 2.0 dB (max.) f = 12 GHz High associated gain Gs = 8.0 dB (min.) f = 12 GHz High reliability and stability APPLICATION S to Ku band amplifiers RECOMMENDED BIAS CONDITIONS VDS = 3 V ID = 10 mA Refer to Bias Procedure Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1303 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MGF1502 / MGF 1502 GaAs-FET-Transistor | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 Stück Transistor MGF 1502 GaAs-Fet Transistor im Plastik-Gehäuse, geringes Rauschen im VHF-UHF-Bereich, F = 1.5 dB / 4 GHz, ID max. 80 mA, Ptot 300 mW MGF1502 Low Noise GaAs FET Part Specification N-Channel UHF-Microwave MESFET Mitsubishi Electric Semiconductor I(D) Abs. Drain Current (A)=80m P(D) Max.(W) Power Dissipation=300 I(DSS) Min. (A)=15m I(DSS) Max. (A)=80m Noise Figure Max. (dB)=1.5 @V(DS) (V) (Test Condition)=3.0 @I(D) (A) (Test Condition)=10m @Freq. (Hz) (Test Condition)=4.0G Semiconductor Material=GaAs Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail ! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1305 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF982 / BF 982 HF-Transistoren | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3 Stück Transistoren BF 982 rauscharme UHF-MOS-FET Transistoren mit hoher Steilheit für HF-Anwendungen Silicon N-Channel Dual Gate MOS-Fet Depletion type field-effect transistor in a plastic X-package with source and substrate interconnected, intended for VHF applications, such as VHF television tuners, FM tuners, with 12 V supply voltage. This MOS-FET tetrode is protected against excessive input voltage surges by integrated back-to-back diodes between gates and source. Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail ! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1296 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFG90A / BFG 90A HF-Transistoren | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3 Stück Transistoren BFG 90A Universal-Mikrowellen-Transistor bis 5 GHz für HF-Anwendungen NPN 5 GHz wideband transistor NPN transistor in a four-lead dual emitter plastic envelope (SOT103) It is designed for application in wideband amplifiers, such as MATV and CATV up to 5 GHz Auf Wunsch Datenblatt per E-Mail ! | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1274 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT-42085 Bipolar NPN UHF-Microwave | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 Stück UHF-Microwave Transisitor AT-42085 Up to 6 GHz Medium Power, auf Wunsch Datenblatt per E-Mail! Product Features Bipolar NPN UHF-Microwave Transisitor Various • High Output Power: 20.5 dBm Typical P1 dB at 2.0 GHz • High Gain at 1 dB Compression: 14.0 dB Typical G1 dB at 2.0 GHz • Low Noise Figure: 2.0 dB Typical NFO at 2.0 GHz • High Gain-Bandwidth Product: 8.0 GHz Typical fT • Low Cost Plastic Package Description Hewlett-Packard’s AT-42085 is a general purpose NPN bipolar transistor that offers excellent high frequency performance. The AT-42085 is housed in a low cost .085" diameter plastic package. The 4 micron emitter-to-emitter pitch enables this transistor to be used in many different functions. The 20 emitter finger interdigitated geometry yields a medium sized transistor with impedances that are easy to match for low noise and medium power applications. Applications include use in wireless systems as an LNA, gain stage, buffer, oscillator, and mixer. An optimum noise match near 50 Ohm up to 1 GHz, makes this device easy to use as a low noise amplifier. The AT-42085 bipolar transistor is fabricated using Hewlett-Packard’s 10 GHz fT Self-Aligned-Transistor (SAT) process. The die is nitride passivated for surface protection. Excellent device uniformity, performance and reliability are produced by the use of ionimplantation, self-alignment techniques, and gold metalization in the fabrication of this device. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1240 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||